Разработана самовосстанавливающаяся флэш-память

Тайваньские исследователи из компании Macronix разработали флэш-память, способную противостоять процессу износа, сообщает IEEE Spectrum. В основе разработки лежит способность ячеек памяти восстанавливаться под воздействием высоких температур. Исследователи предложили подвергнуть ячейки краткосрочному сильному нагреванию (несколько миллисекунд при температуре 800 градусов Цельсия). Утверждается, что после такой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастет с 10 […]